NTMT125N65S3H دیتاشیت

NTMT125N65S3H

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMT125N65S3H
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NTMT125N65S3H-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTMT125N65S3H
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 171W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 44nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2200pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 24A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@2.1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 108mΩ@10V,12A
  • Package: TDFN-4
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه